2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, 24 потока, частота 4.1/2.4 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5, TDP 150W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2023
Технические характеристики
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP)
150
Базовая тактовая частота
2.4
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Да
ИИ-ускоритель (NPU)
Нет
Кодовое название кристалла
Sapphire Rapids
Количество каналов памяти
8
Количество ядер
12
Конфигурация контроллера PCIe
макс. количество линий PCI Express - 80
Конфигурация памяти
макс. объем поддерживаемой памяти - 4TBподдержка планок с ECC
Кэш L3
30
Макс. частота памяти без разгона
4400
Максимальная частота
4.1
Максимальное количество потоков
24
Многопоточность ядра
Да
Модельный ряд
Xeon
Охлаждение в комплекте
Нет
Поддержка памяти
DDR5
Сокет
LGA4677
Техпроцесс
10
Тип поставки
OEM