2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.6 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2023
Технические характеристики
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP)
125
Базовая тактовая частота
2.6
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Да
ИИ-ускоритель (NPU)
Нет
Кодовое название кристалла
Sapphire Rapids
Количество каналов памяти
8
Количество ядер
8
Конфигурация контроллера PCIe
макс. количество линий PCI Express - 80
Конфигурация памяти
макс. объем поддерживаемой памяти - 4TBподдержка планок с ECC
Кэш L3
22.5
Макс. частота памяти без разгона
4400
Максимальная частота
4.1
Максимальное количество потоков
16
Многопоточность ядра
Да
Модельный ряд
Xeon
Охлаждение в комплекте
Нет
Поддержка памяти
DDR5
Сокет
LGA4677
Техпроцесс
10
Тип поставки
OEM