Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2023
Технические характеристики
Базовая тактовая частота
2.9
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Да
Кодовое название кристалла
Sapphire Rapids
Количество каналов памяти
8
Количество ядер
8
Конфигурация контроллера PCIe
макс. кол-во каналов PCI Express - 80
Кэш L3
22.5
Макс. частота памяти без разгона
4400
Максимальная частота
4.1
Максимальное количество потоков
16
Многопоточность ядра
Да
Модельный ряд
Xeon
Охлаждение в комплекте
Нет
Поддержка памяти
DDR5
Расчетная тепловая мощность (TDP)
150
Сокет
LGA4677
Техпроцесс
10
Тип поставки
OEM