Broadwell, 8 ядер, частота 3.2 ГГц + 25 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 135W
Технические характеристики
Hyper-Threading
Да
Боксовая версия
Нет
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Кодовое название кристалла
Broadwell
Количество каналов памяти
4
Количество ядер
8
Кэш L3
25
Макс. частота памяти
2400
Максимальная Turbo-частота
3.8
Модельный ряд
Xeon
Поддержка памяти
DDR4
Сокет
LGA2011-3
Тактовая частота
3.2
Толщина транзистора
14
Энергопотребление (TDP)
135