Sandy Bridge-EP, 8 ядер, частота 2 ГГц, кэш 2 МБ + 20 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет LGA2011, TDP 95W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2012
Технические характеристики
Hyper-Threading
Да
Боксовая версия
Нет
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Да
Кодовое название кристалла
Sandy Bridge-EP
Количество каналов памяти
4
Количество ядер
8
Кэш L2
2 МБ
Кэш L3
20
Максимальная Turbo-частота
2.8
Модельный ряд
Xeon
Поддержка памяти
DDR3
Сокет
LGA2011
Тактовая частота
2
Толщина транзистора
32
Энергопотребление (TDP)
95