Broadwell, 12 ядер, частота 2.2 ГГц + 30 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 105W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2016
Технические характеристики
Hyper-Threading
Да
Боксовая версия
Нет
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Нет
Кодовое название кристалла
Broadwell
Количество каналов памяти
4
Количество ядер
12
Кэш L3
30
Макс. частота памяти
2400
Максимальная Turbo-частота
2.9
Модельный ряд
Xeon
Поддержка памяти
DDR4
Сокет
LGA2011-3
Тактовая частота
2.2
Толщина транзистора
14
Энергопотребление (TDP)
105