Broadwell, 10 ядер, частота 2.4 ГГц + 25 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3/LGA2011-3 Square ILM/LGA2011-3 Narrow ILM, TDP 90W
Технические характеристики
Hyper-Threading
Да
Боксовая версия
Нет
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Нет
Кодовое название кристалла
Broadwell
Количество каналов памяти
4
Количество ядер
10
Кэш L3
25
Макс. частота памяти
2133
Максимальная Turbo-частота
3.4
Модельный ряд
Xeon
Поддержка памяти
DDR4
Сокет
LGA2011-3, LGA2011-3 Square ILM, LGA2011-3 Narrow ILM
Тактовая частота
2.4
Толщина транзистора
14
Энергопотребление (TDP)
90