Broadwell, 8 ядер, частота 2.1 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W
Общая информация
Дата выхода на рынок
2016
Технические характеристики
Hyper-Threading
Да
Боксовая версия
Нет
Виртуализация Intel VT-d
Да
Виртуализация Intel VT-x
Да
Встроенная графика
Нет
Встроенный контроллер PCI Express
Да
Защищенная платформа Intel TXT
Нет
Кодовое название кристалла
Broadwell
Количество каналов памяти
4
Количество ядер
8
Кэш L3
20
Макс. частота памяти
2133
Максимальная Turbo-частота
3
Модельный ряд
Xeon
Поддержка памяти
DDR4
Сокет
LGA2011-3
Тактовая частота
2.1
Толщина транзистора
14
Энергопотребление (TDP)
85