частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
Конструкция
Низкопрофильный модуль
Нет
Охлаждение
Нет
Основные
CAS Latency
11
ECC
Нет
PC-индекс
PC3-12800
Набор
Нет
Напряжение питания
1.35
Напряжение питания при разгоне
1.5
Объем
2
Тайминги
11-11-11
Тип
DDR3 SO-DIMM
Частота
1600
Технические характеристики
Ёмкость микросхем
4
Количество банков
1
Профили AMP
Нет
Профили XMP
Нет
Тип микросхем
256Mx16
Число микросхем
4